Транзистор КТ835А (от10шт по 5р)

Транзистор КТ814 – кремниевый эпитаксиально-планарный низкочастотный, мощный биполярный транзистор с p-n-p структурой. Предназначен для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Цоколевка транзистора КТ814

kt814.jpg

Характеристики транзистора КТ814

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), А Pкmax(т), Вт h21э fгр., МГц
КТ814А 40 25 1,5 (3) 10 40 3
КТ814Б 50 40 1,5 (3) 10 40 3
КТ814В 70 60 1,5 (3) 10 40 3
КТ814Г 100 80 1,5 (3) 10 30 3

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-базаUкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттерIкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектораPкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттеромfгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ814

Общие сведения

Транзисторы составные биполярные переключательные КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1 предназначены для использования в качестве выходных ключей электронных коммутаторов систем зажигания автомобилей, а также в схемах управления электроприводом.

Структура условного обозначения

Условия эксплуатации

Условия эксплуатации транзистора КТ834А в соответствии с требованиями аАО.336.471 ТУ-95, транзистора КТ848А — аАО.336.539 ТУ-95, транзисторов КТ890А и КТ890А1 — АДБК.432.148. 010 ТУ-94. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). Температура корпуса транзисторов от минус 45 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). аАО.336.471 ТУ-95;аАО.336.539 ТУ-95;АДБК.432.148.010 ТУ-94

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров приведены в табл. 1, статические и динамическое характеристики в табл. 2.

Таблица 1

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения*
КТ834А КТ848А КТ890А КТ890А1

Граничное напряжение, В

UКЭО гр 400 350

IK=0,1 АLK=40 мГн

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В

UКЭR mах 500 520

IКЭR=3 мАRБЭ:100 Ом – КТ834А;1000 Ом – КТ848А

Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В

UЭБО mах 5

IЭБО=0,05 АIК=0

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А

IK mах 15 20 _

Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А

IK, имп mах 20 15 20

Максимально допустимый постоянный ток базы, А

IБ mах 3,5 1

Максимально допустимый импульсный ток базы, А

IБ, имп mах 5

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт

pK mах 100 87 100 60

ТП=150 ° С

Максимально допустимая импульсная энергия, мДж

EИМП mах 250

IK=10 АLK=5 мГн

Максимально допустимая энергия вторичного пробоя, мДж

EВП mах 320

IK=8 АLK=10 мГн

Максимально допустимая температура перехода, ° С

TП mах 150

*

</sup> Температура корпуса 25 ° С

Таблица 2

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения*
КТ834А КТ848А КТ890А КТ890А1
IКЭR

UКЭR:500 В – КТ834А;520 В – КТ848А RБЭ:100 Ом – КТ834А;1 кОм – КТ848А

IКЭО

UКЭО=350 ВIБ=0

Максимальный обратный ток эмиттер-база, мА

IЭБО 50

UЭБО:5 В – КТ834А, КТ848А, КТ890А;6 В – КТ890А1IК=0

h21Э

IK:5 А – КТ834А, КТ890А и КТ890А1;15 А – КТ848АUКЭ:5 В – КТ834Аи КТ848А;10 В – КТ890А и КТ890А1

UКЭ нас

IK:15 А – КТ834А;10 А – КТ848А;7 А – КТ890Аи КТ890А1IБ:1,5 А – КТ834А;0,15 А – КТ848 А;0,07 А – КТ890Аи КТ890А1

максимальное

2
UБЭ нас

В  максимальное

2,5
tСП

IK:10 А – КТ834А;7 А – КТ848А,КТ890А и КТ890А1IБ:В  ±1 А – КТ834А;В  ±0,07 А – КТ848А, КТ890А и КТ890А1

В  максимальное

12
UFD

IFD=10 А

RТП-К

UКЭ=20 ВIK:5 А – КТ834А;4,35 А – КТ848А;5 А – КТ890А;3 А – КТ890А1

*

</sup> Температура корпуса 25 ° С

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ834А и КТ890А в корпусе КТ-9 (ТО-3) представлены на рис. 1, транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2 (ТО-218) — на рис. 2, транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А-2 (ISОWАТТ 218) — на рис. 3, электрические схемы транзисторов — на рис. 4, а-в.

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2: 1-3 — по рис. 1

d734-3.jpg

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А — 2: 1-3 — по рис. 1

Электрическая схема транзисторов: а — КТ834А: VT1, VT2 — транзисторы; VD1 — ускоряющий диод; VD2 — демпферный диод; R1 — согласующий резистор 300 Ом; R2 — согласующий резистор 40 Ом; 1-3 — по рис. 1; б — КТ848А: VD1 — демпферный диод; R1 — согласующий резистор 400 Ом; R2 — согласующий резистор 50 Ом; VT1, VT2 — по рис. 4, а; 1-3 — по рис. 1; в — КТ890А; КТ890А1: VD1 — стабилитрон; R1 — согласующий резистор 400 Ом; R2 — согласующий резистор 50 Ом; VT1, VT2, VD2 — по рис. 4, а; 1-3 — по рис. 1 Масса транзисторов КТ834А и КТ848А не более 20 г, транзисторов КТ890А и КТ890А1 — не более 5 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч; интенсивность отказов в течение времени наработки не более 106 1/ч; минимальный 99,5% срок сохраняемости транзистора 10 лет.

В комплект поставки входят: транзисторы; этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов; потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 100 шт.

Характеристики Электротехнического оборудования

Транзисторы КТ814 и КТ827.

Транзисторы КТ814

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ814 цифра 4, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ814.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ814А, КТ814Б, КТ814В — от 40У транзисторов КТ814Г — 30

Граничная частота передачи тока.3МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ814А — 25 в. У транзисторов КТ814Б — 40 в. У транзисторов КТ814В — 60 в. У транзисторов КТ814Г — 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ814 — 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А — 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора. — 10 Вт(с радиатором).

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды не превышающей +25 по Цельсию не более — 50 мкА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5в при частоте 465 КГц не более — 75 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц не более — 60 пФ.

Транзистор комплементарный КТ814 — КТ815.

Транзисторы КТ827

Внешний вид и расположение выводов на рисунке:

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — У транзисторов КТ827А — от 500 до 18000. У транзисторов КТ827Б, КТ827В — от 750 до 18000.

У транзисторов КТ827А — 100в. У транзисторов КТ827Б — 80в. У транзисторов КТ827В — 60в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 10А и базовом 40мА до 2-х в, при типовом значении — 1,75в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10 А и базовом 200мА до — 4-х в, при типовом значении — 3 в.

Максимальный ток коллектора20 А.

Рассеиваемая мощность коллектора125 Вт(с радиатором).

Граничная частота передачи тока4МГц.

Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 1кОм и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 3 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более — 2 мА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении база-эмиттер 5в — не более 350 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10в не более — 400 пФ.

Транзистор комплементарный КТ827 — КТ825.

Читать еще:  Как правильно резать половую плитку

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Технические характеристики транзистора КТ814

КТ814 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Применяются в линейных и ключевых схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналог КТ814

  • Прототип КТ814 Б — BD136
  • Прототип КТ814 В — BD138
  • Прототип КТ814 Г — BD140

Особенности

  • Максимально допустимая температура корпуса — 100 °C
  • Комплиментарная пара – КТ815

Корпусное исполнение

tranzistor-KT814-tekhnicheskiye-kharakteristiki.jpg

  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)

Цоколевка КТ814 (корпус КТ-27)

Характеристики транзистора КТ814

Предельные параметры КТ814

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):

  • КТ814А, Б, В, Г — 1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):

  • КТ814А, Б, В, Г — 3 А

Граничное напряжение (UKЭ0 гр):

  • КТ814А — 25 В
  • КТ814Б — 40 В
  • КТ814В — 60 В
  • КТ814Г — 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):

  • КТ814А, Б, В, Г — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:

  • КТ814А, Б, В, Г — 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Тп max):

  • КТ814А, Б, В, Г — 125° C

Значения параметров КТ814 при Тперехода=25 o С

Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:

  • КТ814А, Б, В — 40
  • КТ814Г — 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ814А, Б, В, Г — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБО)

  • КТ814А, Б, В, Г — 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ814А, Б, В, Г — 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

  • КТ814А, Б, В, Г — 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

  • КТ814А, Б, В, Г — 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

  • КТ814А, Б, В, Г — 10° С/Вт

Транзистор КТ814: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить

61636f83d24d502_810x260.jpg

Аналоги (замены) транзистора КТ814:

Биполярный транзистор KT814 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT814

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Читать еще:  Испытание на твердость по бринеллю

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ814В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Значения параметров КТ814 при Тперехода=25oС

Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:

  • КТ814А, Б, В — 40
  • КТ814Г — 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ814А, Б, В, Г — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБО)

  • КТ814А, Б, В, Г — 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ814А, Б, В, Г — 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

  • КТ814А, Б, В, Г — 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2N5153

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153-220M

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153S

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153SM

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153SMD

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO-276AB

Транзисторы серии КТ825, 2Т825

По своим техническим характеристикам транзисторы серии КТ825 подходят для использования в различных усилительных и коммутационных схемах. Встречаются в старых стабилизаторах напряжения, безконактных системах зажигания и управления двигателями. Кремниевые, изготавливаются по мезапланарной технологии и имеют p-n-p-структуру. Являются составными, т.е. сделанными по схеме Дарлингтона, имеющими большой статический коэффициент усиления по току (H21э до 25000) и способность прогонять через себя большие напряжения и токи. Основные свойства этого популярного полупроводникового прибора, разработанного еще в советские времена, примерно в конце 80-х, приведены в данной статье.

Цоколевка

Распиновка у серии КТ825 (он же 2Т825) представлена на рисунке. В первую очередь она зависит от корпусного исполнения устройства. В настоящее время этот транзистор производятся в двух типах корпусов: металлическом со стеклянными изоляторами КТ-9 (ГОСТ 18472-88) и пластиковом ТО-220.pin-kt825-to220-kt9.jpg

Читать еще:  Как подсоединить провода по цветам

Оба корпуса имеют три жестких вывода со следующим назначением: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К). Конструктивно контакт «К» в таком исполнении физически соединен с металлической частью, которой транзистор крепится на радиатор.

Существуют и бескорпусные версии этого транзистора. Они выпускаются в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для монтажа внутри гибридных интегральных микросхем. Масса кристалла без герметичной упаковки и выводов не превышает 0,025 гр. Такие устройства представлены у производителей с маркировкой на этикетке — 2Т825A-5.

Технические характеристики

Разброс величин предельно допустимых режимов эксплуатации у КТ825 достаточно широк. Например, максимальное напряжение между выводами К и Э находится в диапазоне от 30 до 100 В. Также эта серия, вместе с большими коэффициентами усиления, славится высокой мощностью и пропускаемым током. Рассмотрим значения этих параметров подробнее:

  • предельное напряжение К-Э от 30 до 100 В;
  • постоянное напряжение Б-Э до 5 В;
  • коллекторный ток: постоянный от 15 до 30 А; импульсный от 30 до 40 А;
  • рассеиваемая мощность на коллекторе: от 30 до 125 Вт (с радиатором); от 1 до 3 Вт (без теплоотвода); у кристалла до 40 Вт;
  • температура: p-n-перехода от +150 до +175 °С; окружающей среды от -60 до +100 °C.

Для КТ825 в пластиковом корпусе, при ТК от +25 до + 100 °C, максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора снижается линейно на 0.25 Вт/°С с теплоотводом и на 8 мВт/°С без него.

Электрические параметры

Электрические параметры транзистора из серии кт825 представлены в таблице. Обратите внимание, что все данные представлены с учетом температуры окружающей среды не более + 25 °C. Стоит заметить, что H21э в схеме с общим эмиттером имеет наибольшее значение при нагреве корпуса близком к максимальному значению (ТК ≈ макс.).

Комплементарная пара

Комплементарной парой, для рассматриваемой серии, является отечественный составной транзистор с n-p-n-структурой — КТ827.

Аналоги

Найти полноценный аналог для КТ825 достаточно проблематично. Все зависит от схемы и назначения конкретного транзистора в ней. Чаще всего на интернет-форумах рекомендуют в качестве замены TIP142, TIP147 от Texas Instruments в более современном корпусе TO-247. Также, в качестве замены, можно рассмотреть следующие зарубежные транзисторы: MJ11015, 2N6052G. Иногда, не найдя подходящего среди указанных, некоторые радиолюбители прибегают к несложной схеме с КТ818 и КТ814. Она представлена в следующем видеоролике на эту тему.

Меры безопасности

Пайка выводов возможна на расстоянии не ближе 5 мм от корпуса, при температуре припоя не более +260 °C. При этом время лужения контактов не должно превышать 2 сек. В случае подключения устройства в цепь под напряжением, необходимо вывод базы подключать в первую очередь, а отключать в последнюю.

Допустимое значение статического потенциала до 1000 В. Для устройств в пластмассовом ТО-220 допускается только одноразовый изгиб выводов на угол не более 90 o и не ближе 5 мм от корпуса, с радиусом изгиба до 1.5 мм.

Содержание драгметаллов

В соответствии с данными справочника «Опознавательно-информационная система классификации лома электронных изделий», ИПК «Платина», 1999 г., г. Красноярск, в транзисторах серии КТ825 содержание драгметаллов следующие: до 0.01 гр. золота, 0.095 гр. серебра.

Производители

В настоящее время выпуском и модернизацией серии КТ825 занимается только одно российское предприятие. Это известная отечественная компания АО «Кремний» г. Брянск. Скачать техническое описание на изделие от указанного производителя, можно по этой ссылке.

Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Илья Коршунов
Наш эксперт
Написано статей
134
Добавить комментарий