КТ805 – кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор большой мощности средней частоты.
Зарубежный аналог КТ805
- Во многих случаях можно заменить на MJE13009 (расположение выводов другое)
Особенности
- Комплиментарная пара – наиболее подходящая пара КТ837
Корпусное исполнение и цоколевка КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Корпусное исполнение и цоколевка КТ805А, КТ805Б
Характеристики транзистора КТ805
Предельные параметры КТ805
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):
- КТ805А – 5 А
- КТ805АМ – 5 А
- КТ805Б – 5 А
- КТ805БМ – 5 А
- КТ805ВМ – 5 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):
- КТ805А – 8 А
- КТ805АМ – 8 А
- КТ805Б – 8 А
- КТ805БМ – 8 А
- КТ805ВМ – 8 А
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттеp при сопротивлении в цепи база-эмиттеp (UКЭR max) при Тп = 25° C:
- КТ805А – 160 В
- КТ805АМ – 160 В
- КТ805Б – 135 В
- КТ805БМ – 135 В
- КТ805ВМ – 135 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Тп = 25° C:
- КТ805А – 5 В
- КТ805АМ – 5 В
- КТ805Б – 5 В
- КТ805БМ – 5 В
- КТ805ВМ – 5 В
Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора (PК, ср max) при Тк = 50° C:
- КТ805А – 30 Вт
- КТ805АМ – 30 Вт
- КТ805Б – 30 Вт
- КТ805БМ – 30 Вт
- КТ805ВМ – 30 Вт
Максимально допустимая температура перехода (Tп max):
- КТ805А – 150 ° C
- КТ805АМ – 150 ° C
- КТ805Б – 150 ° C
- КТ805БМ – 150 ° C
- КТ805ВМ – 150 ° C
Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):
- КТ805А – 100 ° C
- КТ805АМ – 100 ° C
- КТ805Б – 100 ° C
- КТ805БМ – 100 ° C
- КТ805ВМ – 100 ° C
Электрические характеристики транзисторов КТ805 при Тп = 25oС
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (UКЭ) 10 В, при постоянном токе коллектоpа (IК) 2 А:
- КТ805А – 15
- КТ805АМ – 15
- КТ805Б – 15
- КТ805БМ – 15
- КТ805ВМ – 15
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)
- КТ805А – 2,5 В
- КТ805АМ – 2,5 В
- КТ805Б – 5 В
- КТ805БМ – 5 В
- КТ805ВМ – 2,5 В
Обратный ток коллектор-эмиттеp при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттеp (IКЭR)
- КТ805А – 60 мА
- КТ805АМ – 60 мА
- КТ805Б – 70 мА
- КТ805БМ – 70 мА
- КТ805ВМ – 70 мА
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
- КТ805А – 20 МГц
- КТ805АМ – 20 МГц
- КТ805Б – 20 МГц
- КТ805БМ – 20 МГц
- КТ805ВМ – 20 МГц
Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)
- КТ805А – 3,3 ° C/Вт
- КТ805АМ – 3,3 ° C/Вт
- КТ805Б – 3,3 ° C/Вт
- КТ805БМ – 3,3 ° C/Вт
- КТ805ВМ – 3,3 ° C/Вт
Опубликовано 11.02.2020
| Микросхемы | Транзисторы | Диоды | Тиристоры |
DC-DC понижающий преобразователь – ссылка на товар. Как покупать на АлиЭкспресс – подробная инструкция.–>
Общие сведения
Транзисторы составные биполярные переключательные КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1 предназначены для использования в качестве выходных ключей электронных коммутаторов систем зажигания автомобилей, а также в схемах управления электроприводом.
Структура условного обозначения
Условия эксплуатации
Условия эксплуатации транзистора КТ834А в соответствии с требованиями аАО.336.471 ТУ-95, транзистора КТ848А – аАО.336.539 ТУ-95, транзисторов КТ890А и КТ890А1 – АДБК.432.148. 010 ТУ-94. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). Температура корпуса транзисторов от минус 45 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). аАО.336.471 ТУ-95;аАО.336.539 ТУ-95;АДБК.432.148.010 ТУ-94
Технические характеристики
Предельно допустимые значения параметров приведены в табл. 1, статические и динамическое характеристики в табл. 2.
Таблица 1
Наименование параметра | Буквенное обозначение | Значение параметра для транзисторов типов | Режим измерения* | |||
КТ834А | КТ848А | КТ890А | КТ890А1 | |||
Граничное напряжение, В |
UКЭО гр | 400 | 350 |
IK=0,1 АLK=40 мГн |
||
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В |
UКЭR mах | 500 | 520 | – |
IКЭR=3 мАRБЭ:100 Ом – КТ834А;1000 Ом – КТ848А |
|
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В |
UЭБО mах | 5 |
IЭБО=0,05 АIК=0 |
|||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А |
IK mах | 15 | 20 | _ | ||
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А |
IK, имп mах | 20 | 15 | 20 | ||
Максимально допустимый постоянный ток базы, А |
IБ mах | 3,5 | 1 | |||
Максимально допустимый импульсный ток базы, А |
IБ, имп mах | – | 5 | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт |
pK mах | 100 | 87 | 100 | 60 |
ТП=150 ° С |
Максимально допустимая импульсная энергия, мДж |
EИМП mах | 250 | – |
IK=10 АLK=5 мГн |
||
Максимально допустимая энергия вторичного пробоя, мДж |
EВП mах | – | 320 |
IK=8 АLK=10 мГн |
||
Максимально допустимая температура перехода, ° С |
TП mах | 150 | – | |||
* </sup> Температура корпуса 25 ° С |
Таблица 2
Наименование параметра | Буквенное обозначение | Значение параметра для транзисторов типов | Режим измерения* |
КТ834А | КТ848А | КТ890А | КТ890А1 |
IКЭR |
UКЭR:500 В – КТ834А;520 В – КТ848А RБЭ:100 Ом – КТ834А;1 кОм – КТ848А |
||
IКЭО |
UКЭО=350 ВIБ=0 |
||
Максимальный обратный ток эмиттер-база, мА |
IЭБО | 50 |
UЭБО:5 В – КТ834А, КТ848А, КТ890А;6 В – КТ890А1IК=0 |
h21Э |
IK:5 А – КТ834А, КТ890А и КТ890А1;15 А – КТ848АUКЭ:5 В – КТ834Аи КТ848А;10 В – КТ890А и КТ890А1 |
||
UКЭ нас |
IK:15 А – КТ834А;10 А – КТ848А;7 А – КТ890Аи КТ890А1IБ:1,5 А – КТ834А;0,15 А – КТ848 А;0,07 А – КТ890Аи КТ890А1 |
||
максимальное |
2 | ||
UБЭ нас | |||
В максимальное |
2,5 | ||
tСП |
IK:10 А – КТ834А;7 А – КТ848А,КТ890А и КТ890А1IБ:В ±1 А – КТ834А;В ±0,07 А – КТ848А, КТ890А и КТ890А1 |
||
В максимальное |
12 | – | |
UFD |
IFD=10 А |
||
RТП-К |
UКЭ=20 ВIK:5 А – КТ834А;4,35 А – КТ848А;5 А – КТ890А;3 А – КТ890А1 |
||
* </sup> Температура корпуса 25 ° С |
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ834А и КТ890А в корпусе КТ-9 (ТО-3) представлены на рис. 1, транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2 (ТО-218) – на рис. 2, транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А-2 (ISОWАТТ 218) – на рис. 3, электрические схемы транзисторов – на рис. 4, а-в.
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2: 1-3 – по рис. 1
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А – 2: 1-3 – по рис. 1
Электрическая схема транзисторов: а – КТ834А: VT1, VT2 – транзисторы; VD1 – ускоряющий диод; VD2 – демпферный диод; R1 – согласующий резистор 300 Ом; R2 – согласующий резистор 40 Ом; 1-3 – по рис. 1; б – КТ848А: VD1 – демпферный диод; R1 – согласующий резистор 400 Ом; R2 – согласующий резистор 50 Ом; VT1, VT2 – по рис. 4, а; 1-3 – по рис. 1; в – КТ890А; КТ890А1: VD1 – стабилитрон; R1 – согласующий резистор 400 Ом; R2 – согласующий резистор 50 Ом; VT1, VT2, VD2 – по рис. 4, а; 1-3 – по рис. 1 Масса транзисторов КТ834А и КТ848А не более 20 г, транзисторов КТ890А и КТ890А1 – не более 5 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч; интенсивность отказов в течение времени наработки не более 10–6 1/ч; минимальный 99,5% срок сохраняемости транзистора 10 лет.
В комплект поставки входят: транзисторы; этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов; потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 100 шт.
Характеристики Электротехнического оборудования
Описание
КТ801А
Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 4 г. Тип корпуса: КТЮ-3-9. Технические условия: ЩЫ3.365.001 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ801А:
Технические характеристики транзисторов КТ801А, КТ801Б:
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | |||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | IКБО | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | |||||||
А | А | В | В | B | Вт | В | мА | мА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
КТ801А | n-p-n | 2 | — | 80 | — | 2,5 | 5 | 13…50 | 2 | — | 2 | 10 | — | — | — | 150 | -60…+85 |
КТ801Б | n-p-n | 2 | — | 60 | — | 2,5 | 5 | 30…150 | 2 | — | 2 | 10 | — | — | — | 150 | -60…+85 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • f гр — граничная частота коэффициента передачи тока. • КШ — коэффициент шума транзистора. • СК — емкость коллекторного перехода. • СЭ — емкость коллекторного перехода. • ТП max — максимально допустимая температура перехода. • Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
- Главная
- Радиодетали
- Транзисторы
- Скупка транзисторов КТ801 (только отдельные подложки)
Цена актуальна на 22.05.2021Цена: 2 ₽/шт.
Мы предлагаем купить данные транзисторы КТ801 у вас на лом по отличной цене с доставкой со всей России.
Цена: 2 ₽/шт. Стоимость транзисторов КТ801 (только отдельные подложки) зависит от года производства и состояния элементов, содержащих драгоценные металлы.Воспользуйтесь точной оценкой от Goldform
Содержание драгметалла в транзисторе КТ801
Драгметалл | Масса, грамм |
---|---|
Золото | 0.001 |
Серебро | |
Платина | |
Палладий | |
Тантал | |
Скандий | |
ПлИ |
Удаленная оценка
Оценка от goldform.ru дает гарантию скупки по озвученной цене, если радиодетали не повреждены, имеют оговоренный год выпуска и маркировку. Когда точная оценка невозможна, мы предложим передать нам одну единицу для переработки и определения реального содержания драгметаллов.
Оценим любым удобным для вас образом:
Сбербанк ОнлайнЭлектронные деньги
Добавить в избранное
Внешний вид товара может незначительно отличаться от представленного на изображении
ЭТОТ ТОВАР МОЖЕМОТГРУЗИТЬ ПРЯМО СЕЙЧАС!
код товара: 6059-19541
Год выпуска: | 1988 |
Изготовитель: | Элекс |
Упаковка: | 25 шт. |
5: 13.5 р.
Цены указаны в российских рублях с учетом НДС
На складе: 15 шт.
ОПИСАНИЕ
- масса – 4 г
ЭТИКЕТКА *
КТ801-ЭЛЕКС-СССР
КТ801-ЭЛЕКС