Скупка транзисторов КТ801 (только отдельные подложки)

КТ805 – кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор большой мощности средней частоты.

Зарубежный аналог КТ805

  • Во многих случаях можно заменить на MJE13009 (расположение выводов другое)

Особенности

  • Комплиментарная пара – наиболее подходящая пара КТ837

Корпусное исполнение и цоколевка КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ

tsokolevka_kt805_kt837.jpg

  • пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)

Корпусное исполнение и цоколевка КТ805А, КТ805Б

tsokolevka_kt805A.jpg

Характеристики транзистора КТ805

Предельные параметры КТ805

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):

  • КТ805А — 5 А
  • КТ805АМ — 5 А
  • КТ805Б — 5 А
  • КТ805БМ — 5 А
  • КТ805ВМ — 5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):

  • КТ805А — 8 А
  • КТ805АМ — 8 А
  • КТ805Б — 8 А
  • КТ805БМ — 8 А
  • КТ805ВМ — 8 А

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттеp при сопротивлении в цепи база-эмиттеp (UКЭR max) при Тп = 25° C:

  • КТ805А — 160 В
  • КТ805АМ — 160 В
  • КТ805Б — 135 В
  • КТ805БМ — 135 В
  • КТ805ВМ — 135 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Тп = 25° C:

  • КТ805А — 5 В
  • КТ805АМ — 5 В
  • КТ805Б — 5 В
  • КТ805БМ — 5 В
  • КТ805ВМ — 5 В

Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора (PК, ср max) при Тк = 50° C:

  • КТ805А — 30 Вт
  • КТ805АМ — 30 Вт
  • КТ805Б — 30 Вт
  • КТ805БМ — 30 Вт
  • КТ805ВМ — 30 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

  • КТ805А — 150 ° C
  • КТ805АМ — 150 ° C
  • КТ805Б — 150 ° C
  • КТ805БМ — 150 ° C
  • КТ805ВМ — 150 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):

  • КТ805А — 100 ° C
  • КТ805АМ — 100 ° C
  • КТ805Б — 100 ° C
  • КТ805БМ — 100 ° C
  • КТ805ВМ — 100 ° C

Электрические характеристики транзисторов КТ805 при Тп = 25oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (UКЭ) 10 В, при постоянном токе коллектоpа (IК) 2 А:

  • КТ805А — 15
  • КТ805АМ — 15
  • КТ805Б — 15
  • КТ805БМ — 15
  • КТ805ВМ — 15

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ805А — 2,5 В
  • КТ805АМ — 2,5 В
  • КТ805Б — 5 В
  • КТ805БМ — 5 В
  • КТ805ВМ — 2,5 В

Обратный ток коллектор-эмиттеp при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттеp (IКЭR)

  • КТ805А — 60 мА
  • КТ805АМ — 60 мА
  • КТ805Б — 70 мА
  • КТ805БМ — 70 мА
  • КТ805ВМ — 70 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ805А — 20 МГц
  • КТ805АМ — 20 МГц
  • КТ805Б — 20 МГц
  • КТ805БМ — 20 МГц
  • КТ805ВМ — 20 МГц

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)

  • КТ805А — 3,3 ° C/Вт
  • КТ805АМ — 3,3 ° C/Вт
  • КТ805Б — 3,3 ° C/Вт
  • КТ805БМ — 3,3 ° C/Вт
  • КТ805ВМ — 3,3 ° C/Вт

Опубликовано 11.02.2020

| Микросхемы | Транзисторы | Диоды | Тиристоры | Понижающий преобразователь DC-DC CC CV TC43200

DC-DC понижающий преобразователь — ссылка на товар. Как покупать на АлиЭкспресс — подробная инструкция.—>

Общие сведения

Транзисторы составные биполярные переключательные КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1 предназначены для использования в качестве выходных ключей электронных коммутаторов систем зажигания автомобилей, а также в схемах управления электроприводом.

Структура условного обозначения

Условия эксплуатации

Условия эксплуатации транзистора КТ834А в соответствии с требованиями аАО.336.471 ТУ-95, транзистора КТ848А — аАО.336.539 ТУ-95, транзисторов КТ890А и КТ890А1 — АДБК.432.148. 010 ТУ-94. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). Температура корпуса транзисторов от минус 45 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). аАО.336.471 ТУ-95;аАО.336.539 ТУ-95;АДБК.432.148.010 ТУ-94

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров приведены в табл. 1, статические и динамическое характеристики в табл. 2.

Таблица 1

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения*
КТ834А КТ848А КТ890А КТ890А1

Граничное напряжение, В

UКЭО гр 400 350

IK=0,1 АLK=40 мГн

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В

UКЭR mах 500 520

IКЭR=3 мАRБЭ:100 Ом – КТ834А;1000 Ом – КТ848А

Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В

UЭБО mах 5

IЭБО=0,05 АIК=0

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А

IK mах 15 20 _

Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А

IK, имп mах 20 15 20

Максимально допустимый постоянный ток базы, А

IБ mах 3,5 1

Максимально допустимый импульсный ток базы, А

IБ, имп mах 5

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт

pK mах 100 87 100 60

ТП=150 ° С

Максимально допустимая импульсная энергия, мДж

EИМП mах 250

IK=10 АLK=5 мГн

Максимально допустимая энергия вторичного пробоя, мДж

EВП mах 320

IK=8 АLK=10 мГн

Максимально допустимая температура перехода, ° С

TП mах 150

*

</sup> Температура корпуса 25 ° С

Таблица 2

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения*
КТ834А КТ848А КТ890А КТ890А1
IКЭR

UКЭR:500 В – КТ834А;520 В – КТ848А RБЭ:100 Ом – КТ834А;1 кОм – КТ848А

IКЭО

UКЭО=350 ВIБ=0

Максимальный обратный ток эмиттер-база, мА

IЭБО 50

UЭБО:5 В – КТ834А, КТ848А, КТ890А;6 В – КТ890А1IК=0

h21Э

IK:5 А – КТ834А, КТ890А и КТ890А1;15 А – КТ848АUКЭ:5 В – КТ834Аи КТ848А;10 В – КТ890А и КТ890А1

UКЭ нас

IK:15 А – КТ834А;10 А – КТ848А;7 А – КТ890Аи КТ890А1IБ:1,5 А – КТ834А;0,15 А – КТ848 А;0,07 А – КТ890Аи КТ890А1

максимальное

2
UБЭ нас

В  максимальное

2,5
tСП

IK:10 А – КТ834А;7 А – КТ848А,КТ890А и КТ890А1IБ:В  ±1 А – КТ834А;В  ±0,07 А – КТ848А, КТ890А и КТ890А1

В  максимальное

12
UFD

IFD=10 А

RТП-К

UКЭ=20 ВIK:5 А – КТ834А;4,35 А – КТ848А;5 А – КТ890А;3 А – КТ890А1

*

</sup> Температура корпуса 25 ° С

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ834А и КТ890А в корпусе КТ-9 (ТО-3) представлены на рис. 1, транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2 (ТО-218) — на рис. 2, транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А-2 (ISОWАТТ 218) — на рис. 3, электрические схемы транзисторов — на рис. 4, а-в.

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2: 1-3 — по рис. 1

d734-3.jpg

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А — 2: 1-3 — по рис. 1

Электрическая схема транзисторов: а — КТ834А: VT1, VT2 — транзисторы; VD1 — ускоряющий диод; VD2 — демпферный диод; R1 — согласующий резистор 300 Ом; R2 — согласующий резистор 40 Ом; 1-3 — по рис. 1; б — КТ848А: VD1 — демпферный диод; R1 — согласующий резистор 400 Ом; R2 — согласующий резистор 50 Ом; VT1, VT2 — по рис. 4, а; 1-3 — по рис. 1; в — КТ890А; КТ890А1: VD1 — стабилитрон; R1 — согласующий резистор 400 Ом; R2 — согласующий резистор 50 Ом; VT1, VT2, VD2 — по рис. 4, а; 1-3 — по рис. 1 Масса транзисторов КТ834А и КТ848А не более 20 г, транзисторов КТ890А и КТ890А1 — не более 5 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч; интенсивность отказов в течение времени наработки не более 106 1/ч; минимальный 99,5% срок сохраняемости транзистора 10 лет.

В комплект поставки входят: транзисторы; этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов; потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 100 шт.

Характеристики Электротехнического оборудования

Описание

КТ801А

Транзисторы КТ801А кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 4 г. Тип корпуса: КТЮ-3-9. Технические условия: ЩЫ3.365.001 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ801А:

Технические характеристики транзисторов КТ801А, КТ801Б:

Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э IКБО IЭБО f гp. КШ СК СЭ
А А В В B Вт В мА мА МГц дБ пФ пФ °С °С
КТ801А n-p-n 2 80 2,5 5 13…50 2 2 10 150 -60…+85
КТ801Б n-p-n 2 60 2,5 5 30…150 2 2 10 150 -60…+85

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • f гр — граничная частота коэффициента передачи тока. • КШ — коэффициент шума транзистора. • СК — емкость коллекторного перехода. • СЭ — емкость коллекторного перехода. • ТП max — максимально допустимая температура перехода. • Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.

  • Главная
  • Радиодетали
  • Транзисторы
  • Скупка транзисторов КТ801 (только отдельные подложки)

Цена актуальна на 22.05.2021goldform.387c4e38517a07c8c406d0dd8403af68.pngЦена: 2 ₽/шт.

Мы предлагаем купить данные транзисторы КТ801 у вас на лом по отличной цене с доставкой со всей России.

Цена: 2 ₽/шт. Стоимость транзисторов КТ801 (только отдельные подложки) зависит от года производства и состояния элементов, содержащих драгоценные металлы.Воспользуйтесь точной оценкой от Goldform

Содержание драгметалла в транзисторе КТ801

Драгметалл Масса, грамм
Золото 0.001
Серебро
Платина
Палладий
Тантал
Скандий
ПлИ

Удаленная оценка

Оценка от goldform.ru дает гарантию скупки по озвученной цене, если радиодетали не повреждены, имеют оговоренный год выпуска и маркировку. Когда точная оценка невозможна, мы предложим передать нам одну единицу для переработки и определения реального содержания драгметаллов.

Оценим любым удобным для вас образом:

sberbank.pngСбербанк ОнлайнЭлектронные деньги

Добавить в избранное

Внешний вид товара может незначительно отличаться от представленного на изображении

ЭТОТ ТОВАР МОЖЕМОТГРУЗИТЬ ПРЯМО СЕЙЧАС!

код товара: 6059-19541

Год выпуска: 1988
Изготовитель: Элекс
Упаковка: 25 шт.

5: 13.5 р.

Цены указаны в российских рублях с учетом НДС

На складе: 15 шт.

ОПИСАНИЕ

  • масса — 4 г

ЭТИКЕТКА *

КТ801-ЭЛЕКС-СССР

КТ801-ЭЛЕКС

Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Илья Коршунов
Наш эксперт
Написано статей
134
Добавить комментарий