КТ645А

Общие сведения

Транзисторы составные биполярные переключательные КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1 предназначены для использования в качестве выходных ключей электронных коммутаторов систем зажигания автомобилей, а также в схемах управления электроприводом.

Структура условного обозначения

Условия эксплуатации

Условия эксплуатации транзистора КТ834А в соответствии с требованиями аАО.336.471 ТУ-95, транзистора КТ848А — аАО.336.539 ТУ-95, транзисторов КТ890А и КТ890А1 — АДБК.432.148. 010 ТУ-94. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). Температура корпуса транзисторов от минус 45 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). аАО.336.471 ТУ-95;аАО.336.539 ТУ-95;АДБК.432.148.010 ТУ-94

Технические характеристики

Предельно допустимые значения параметров приведены в табл. 1, статические и динамическое характеристики в табл. 2.

Таблица 1

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения*
КТ834А КТ848А КТ890А КТ890А1

Граничное напряжение, В

UКЭО гр 400 350

IK=0,1 АLK=40 мГн

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В

UКЭR mах 500 520

IКЭR=3 мАRБЭ:100 Ом – КТ834А;1000 Ом – КТ848А

Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В

UЭБО mах 5

IЭБО=0,05 АIК=0

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А

IK mах 15 20 _

Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А

IK, имп mах 20 15 20

Максимально допустимый постоянный ток базы, А

IБ mах 3,5 1

Максимально допустимый импульсный ток базы, А

IБ, имп mах 5

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт

pK mах 100 87 100 60

ТП=150 ° С

Максимально допустимая импульсная энергия, мДж

EИМП mах 250

IK=10 АLK=5 мГн

Максимально допустимая энергия вторичного пробоя, мДж

EВП mах 320

IK=8 АLK=10 мГн

Максимально допустимая температура перехода, ° С

TП mах 150

*

</sup> Температура корпуса 25 ° С

Таблица 2

Наименование параметра Буквенное обозначение Значение параметра для транзисторов типов Режим измерения*
КТ834А КТ848А КТ890А КТ890А1
IКЭR

UКЭR:500 В – КТ834А;520 В – КТ848А RБЭ:100 Ом – КТ834А;1 кОм – КТ848А

IКЭО

UКЭО=350 ВIБ=0

Максимальный обратный ток эмиттер-база, мА

IЭБО 50

UЭБО:5 В – КТ834А, КТ848А, КТ890А;6 В – КТ890А1IК=0

h21Э

IK:5 А – КТ834А, КТ890А и КТ890А1;15 А – КТ848АUКЭ:5 В – КТ834Аи КТ848А;10 В – КТ890А и КТ890А1

UКЭ нас

IK:15 А – КТ834А;10 А – КТ848А;7 А – КТ890Аи КТ890А1IБ:1,5 А – КТ834А;0,15 А – КТ848 А;0,07 А – КТ890Аи КТ890А1

максимальное

2
UБЭ нас

В  максимальное

2,5
tСП

IK:10 А – КТ834А;7 А – КТ848А,КТ890А и КТ890А1IБ:В  ±1 А – КТ834А;В  ±0,07 А – КТ848А, КТ890А и КТ890А1

В  максимальное

12
UFD

IFD=10 А

RТП-К

UКЭ=20 ВIK:5 А – КТ834А;4,35 А – КТ848А;5 А – КТ890А;3 А – КТ890А1

*

</sup> Температура корпуса 25 ° С

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ834А и КТ890А в корпусе КТ-9 (ТО-3) представлены на рис. 1, транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2 (ТО-218) — на рис. 2, транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А-2 (ISОWАТТ 218) — на рис. 3, электрические схемы транзисторов — на рис. 4, а-в.

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2: 1-3 — по рис. 1

d734-3.jpg

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А — 2: 1-3 — по рис. 1

Электрическая схема транзисторов: а — КТ834А: VT1, VT2 — транзисторы; VD1 — ускоряющий диод; VD2 — демпферный диод; R1 — согласующий резистор 300 Ом; R2 — согласующий резистор 40 Ом; 1-3 — по рис. 1; б — КТ848А: VD1 — демпферный диод; R1 — согласующий резистор 400 Ом; R2 — согласующий резистор 50 Ом; VT1, VT2 — по рис. 4, а; 1-3 — по рис. 1; в — КТ890А; КТ890А1: VD1 — стабилитрон; R1 — согласующий резистор 400 Ом; R2 — согласующий резистор 50 Ом; VT1, VT2, VD2 — по рис. 4, а; 1-3 — по рис. 1 Масса транзисторов КТ834А и КТ848А не более 20 г, транзисторов КТ890А и КТ890А1 — не более 5 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч; интенсивность отказов в течение времени наработки не более 106 1/ч; минимальный 99,5% срок сохраняемости транзистора 10 лет.

В комплект поставки входят: транзисторы; этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов; потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 100 шт.

Характеристики Электротехнического оборудования

Описание

КТ645А

Транзисторы КТ645А кремниевые, усилительные, средней мощности, высокочастотные, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. КТ645А и КТ645Б — являются многофункциональными транзисторами общего назначения и могут использоваться в самых различных радиоэлектронных схемах. Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродействующих импульсных устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Технические условия: аА0.336.333 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ645А:

• Структура транзистора: n-p-n; • Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,3 А; • Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В); • h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20…200; • Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ; • Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом; • tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,6 пс

Технические характеристики транзисторов КТ645А, КТ645Б:

Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С
КТ645А n-p-n 0,3 0,6 50 60 4 0,5 20…200 0,5 /td> /td> >200 <5 -40…+85
КТ645Б n-p-n 0,3 0,6 40 40 4 0,5 >80 0,05 /td> /td> >200 <5 <50 150

Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • IКЭR — обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер. • f гр — граничная частота коэффициента передачи тока. • СК — емкость коллекторного перехода. • СЭ — емкость коллекторного перехода. • ТП max — максимально допустимая температура перехода. • Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.

Транзисторы

Добро пожаловать на ресурс «Электрические схемы»! Несмотря на тотальное увлечение «юзерством», любители «ковыряться» в электронике и конструировать  еще не перевелись, что не может не радовать. У нас  те, кто не забыл, как держать в руках паяльник, найдут  электрические схемы отечественных и импортных телевизоров, радиоприемников и других бытовых приборов, справочную информацию по электронным компонентам, а также описания и схемы интересных любительских разработок.

В разделе «Новости» вы можете познакомиться с последними достижениями в мире электроники, а на странице Программ поискать полезное для радиоконструктора ПО. Все материалы в свободном доступе без ограничений и скачивание их не требует ни регистрации, ни «подтверждения человечности». Единственная просьба – не использовать материалы, полученные практически даром, в шкурных целях.

Заранее спасибо и Welcome!

12.jpgДля просмотра документов в формате .djvu можно воспользоваться программой просмотра формата, которая не требует установки и может работать с любого носителя. Размер архива — 487 КБ.

Скачать

Если вы не нашли необходимую информацию, то к вашим услугам простая форма обратной связи. Заполните ее, и мы постараемся вам помочь. Эта же форма даст возможность ресурсу публиковать именно те материалы, которые вам интересно было бы увидеть.

Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Илья Коршунов
Наш эксперт
Написано статей
134
Добавить комментарий