Общие сведения
Транзисторы составные биполярные переключательные КТ834А, КТ848А, КТ890А и КТ890А1 предназначены для использования в качестве выходных ключей электронных коммутаторов систем зажигания автомобилей, а также в схемах управления электроприводом.
Структура условного обозначения
Условия эксплуатации
Условия эксплуатации транзистора КТ834А в соответствии с требованиями аАО.336.471 ТУ-95, транзистора КТ848А – аАО.336.539 ТУ-95, транзисторов КТ890А и КТ890А1 – АДБК.432.148. 010 ТУ-94. Температура окружающей среды от минус 60 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). Температура корпуса транзисторов от минус 45 до 100°С (КТ834А) и до 125°С (КТ848А, КТ890А и КТ890А1). аАО.336.471 ТУ-95;аАО.336.539 ТУ-95;АДБК.432.148.010 ТУ-94
Технические характеристики
Предельно допустимые значения параметров приведены в табл. 1, статические и динамическое характеристики в табл. 2.
Таблица 1
Наименование параметра | Буквенное обозначение | Значение параметра для транзисторов типов | Режим измерения* | |||
КТ834А | КТ848А | КТ890А | КТ890А1 | |||
Граничное напряжение, В |
UКЭО гр | 400 | 350 |
IK=0,1 АLK=40 мГн |
||
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В |
UКЭR mах | 500 | 520 | – |
IКЭR=3 мАRБЭ:100 Ом – КТ834А;1000 Ом – КТ848А |
|
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, В |
UЭБО mах | 5 |
IЭБО=0,05 АIК=0 |
|||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А |
IK mах | 15 | 20 | _ | ||
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А |
IK, имп mах | 20 | 15 | 20 | ||
Максимально допустимый постоянный ток базы, А |
IБ mах | 3,5 | 1 | |||
Максимально допустимый импульсный ток базы, А |
IБ, имп mах | – | 5 | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт |
pK mах | 100 | 87 | 100 | 60 |
ТП=150 ° С |
Максимально допустимая импульсная энергия, мДж |
EИМП mах | 250 | – |
IK=10 АLK=5 мГн |
||
Максимально допустимая энергия вторичного пробоя, мДж |
EВП mах | – | 320 |
IK=8 АLK=10 мГн |
||
Максимально допустимая температура перехода, ° С |
TП mах | 150 | – | |||
* </sup> Температура корпуса 25 ° С |
Таблица 2
Наименование параметра | Буквенное обозначение | Значение параметра для транзисторов типов | Режим измерения* |
КТ834А | КТ848А | КТ890А | КТ890А1 |
IКЭR |
UКЭR:500 В – КТ834А;520 В – КТ848А RБЭ:100 Ом – КТ834А;1 кОм – КТ848А |
||
IКЭО |
UКЭО=350 ВIБ=0 |
||
Максимальный обратный ток эмиттер-база, мА |
IЭБО | 50 |
UЭБО:5 В – КТ834А, КТ848А, КТ890А;6 В – КТ890А1IК=0 |
h21Э |
IK:5 А – КТ834А, КТ890А и КТ890А1;15 А – КТ848АUКЭ:5 В – КТ834Аи КТ848А;10 В – КТ890А и КТ890А1 |
||
UКЭ нас |
IK:15 А – КТ834А;10 А – КТ848А;7 А – КТ890Аи КТ890А1IБ:1,5 А – КТ834А;0,15 А – КТ848 А;0,07 А – КТ890Аи КТ890А1 |
||
максимальное |
2 | ||
UБЭ нас | |||
В максимальное |
2,5 | ||
tСП |
IK:10 А – КТ834А;7 А – КТ848А,КТ890А и КТ890А1IБ:В ±1 А – КТ834А;В ±0,07 А – КТ848А, КТ890А и КТ890А1 |
||
В максимальное |
12 | – | |
UFD |
IFD=10 А |
||
RТП-К |
UКЭ=20 ВIK:5 А – КТ834А;4,35 А – КТ848А;5 А – КТ890А;3 А – КТ890А1 |
||
* </sup> Температура корпуса 25 ° С |
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзисторов КТ834А и КТ890А в корпусе КТ-9 (ТО-3) представлены на рис. 1, транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2 (ТО-218) – на рис. 2, транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А-2 (ISОWАТТ 218) – на рис. 3, электрические схемы транзисторов – на рис. 4, а-в.
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А в корпусе КТ-43-2: 1-3 – по рис. 1
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора КТ890А1 в корпусе КТ-43А – 2: 1-3 – по рис. 1
Электрическая схема транзисторов: а – КТ834А: VT1, VT2 – транзисторы; VD1 – ускоряющий диод; VD2 – демпферный диод; R1 – согласующий резистор 300 Ом; R2 – согласующий резистор 40 Ом; 1-3 – по рис. 1; б – КТ848А: VD1 – демпферный диод; R1 – согласующий резистор 400 Ом; R2 – согласующий резистор 50 Ом; VT1, VT2 – по рис. 4, а; 1-3 – по рис. 1; в – КТ890А; КТ890А1: VD1 – стабилитрон; R1 – согласующий резистор 400 Ом; R2 – согласующий резистор 50 Ом; VT1, VT2, VD2 – по рис. 4, а; 1-3 – по рис. 1 Масса транзисторов КТ834А и КТ848А не более 20 г, транзисторов КТ890А и КТ890А1 – не более 5 г. Показатели надежности: минимальное время наработки 15 000 ч; интенсивность отказов в течение времени наработки не более 10–6 1/ч; минимальный 99,5% срок сохраняемости транзистора 10 лет.
В комплект поставки входят: транзисторы; этикетка (паспорт) с краткими техническими данными транзисторов; потребительская тара. Типовое количество транзисторов в единице тары 100 шт.
Характеристики Электротехнического оборудования
Описание
КТ645А
Транзисторы КТ645А кремниевые, усилительные, средней мощности, высокочастотные, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. КТ645А и КТ645Б — являются многофункциональными транзисторами общего назначения и могут использоваться в самых различных радиоэлектронных схемах. Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродействующих импульсных устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Технические условия: аА0.336.333 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ645А:
• Структура транзистора: n-p-n; • Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,3 А; • Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В); • h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20…200; • Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ; • Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом; • tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,6 пс
Технические характеристики транзисторов КТ645А, КТ645Б:
Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h21Э | IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | СК | СЭ | ||||||
А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | мкА | МГц | пФ | пФ | °С | °С | ||
КТ645А | n-p-n | 0,3 | 0,6 | 50 | 60 | 4 | 0,5 | 20…200 | 0,5 | /td> | /td> | — | >200 | <5 | -40…+85 | |
КТ645Б | n-p-n | 0,3 | 0,6 | 40 | 40 | 4 | 0,5 | >80 | 0,05 | /td> | /td> | — | >200 | <5 | <50 | 150 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов: • IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. • IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. • UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер. • UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю. • UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю. • UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. • РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. • РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. • h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. • UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. • IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера. • IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора. • IКЭR — обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер. • f гр — граничная частота коэффициента передачи тока. • СК — емкость коллекторного перехода. • СЭ — емкость коллекторного перехода. • ТП max — максимально допустимая температура перехода. • Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
←Транзисторы
Добро пожаловать на ресурс «Электрические схемы»! Несмотря на тотальное увлечение «юзерством», любители «ковыряться» в электронике и конструировать еще не перевелись, что не может не радовать. У нас те, кто не забыл, как держать в руках паяльник, найдут электрические схемы отечественных и импортных телевизоров, радиоприемников и других бытовых приборов, справочную информацию по электронным компонентам, а также описания и схемы интересных любительских разработок.
В разделе «Новости» вы можете познакомиться с последними достижениями в мире электроники, а на странице Программ поискать полезное для радиоконструктора ПО. Все материалы в свободном доступе без ограничений и скачивание их не требует ни регистрации, ни «подтверждения человечности». Единственная просьба – не использовать материалы, полученные практически даром, в шкурных целях.
Заранее спасибо и Welcome!
Для просмотра документов в формате .djvu можно воспользоваться программой просмотра формата, которая не требует установки и может работать с любого носителя. Размер архива — 487 КБ.
Скачать
Если вы не нашли необходимую информацию, то к вашим услугам простая форма обратной связи. Заполните ее, и мы постараемся вам помочь. Эта же форма даст возможность ресурсу публиковать именно те материалы, которые вам интересно было бы увидеть.