Стабилитрон Д815А

НЭВЗ СОЮЗ (Новосибирск) ce611380-4015-11e8-a21a-001b21321023.pngАртикул (ID): OP-2542

  • Масса изделия, гр3,36
  • Вид приемки «1»
  • ТУаАО.336.545 ТУ
  • Дата выпуска1992
  • Кратность отгрузки1
  • Срок отгрузки со склада1 день

ID: 263441Подробнее Сообщите нам

Стабилитроны Д815А теория

Полупроводниковый стабилитрон, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей Ома до сотен Ом. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов.

Прежде всего, не следует забывать, что стабилитрон работает только в цепях постоянного тока. Напряжение на стабилитрон подают в обратной полярности, то есть на анод стабилитрона будет подан минус “-“. При таком включении стабилитрона через него протекает обратный ток (I обр) от выпрямителя. Напряжение с выхода выпрямителя может изменяться, будет изменяться и обратный ток, а напряжение на стабилитроне и на нагрузке останется неизменным, то есть стабильным. На следующем рисунке показана вольт-амперная характеристика стабилитрона.

Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения. Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В. Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона. Особый тип стабилитронов, высоковольтные лавинные диоды («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяется для защиты электроаппаратуры от перенапряжений.

Стабилитроны Д815А Принцип действия

stabilitron.jpg

Советские и импортные стабилитроны

Полупроводниковый стабилитрон — это диод, предназначенный для работы в режиме пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики. В диоде, к которому приложено обратное, или запирающее, напряжение, возможны три механизма пробоя: туннельный пробой, лавинный пробой и пробой вследствие тепловой неустойчивости — разрушительного саморазогрева токами утечки. Тепловой пробой наблюдается в выпрямительных диодах, особенно германиевых, а для кремниевых стабилитронов он не критичен. Стабилитроны проектируются и изготавливаются таким образом, что либо туннельный, либо лавинный пробой, либо оба эти явления вместе возникают задолго до того, как в кристалле диода возникнут предпосылки к тепловому пробою. Серийные стабилитроны изготавливаются из кремния, известны также перспективные разработки стабилитронов из карбида кремния и арсенида галлия.

Первую модель электрического пробоя предложил в 1933 году Кларенс Зенер, в то время работавший в Бристольском университете. Его «Теория электического пробоя в твёрдых диэлектриках» была опубликована летом 1934 года. В 1954 году Кеннет Маккей из Bell Labs установил, что предложеный Зенером туннельный механизм действует только при напряжениях пробоя до примерно 5,5 В, а при бо́льших напряжениях преобладает лавинный механизм. Напряжение пробоя стабилитрона определяется концентрациями акцепторов и доноров и профилем легирования области p-n-перехода. Чем выше концентрации примесей и чем больше их градиент в переходе, тем больше напряжённость электрического поля в области пространственного заряда при равном обратном напряжении, и тем меньше обратное напряжение, при котором возникает пробой:

Туннельный, или зенеровский, пробой возникает в полупроводнике только тогда, когда напряжённость электрического поля в p-n-переходе достигает уровня в 106 В/см. Такие уровни напряжённости возможны только в высоколегированных диодах (структурах p+-n+-типа проводимости) с напряжением пробоя не более шестикратной ширины запрещённой зоны (6 EG ≈ 6,7 В), при этом в диапазоне от 4 EG до 6 EG (4,5…6,7 В) туннельный пробой сосуществует с лавинным, а при напряжении пробоя менее 4 EG (≈4,5 В) полностью вытесняет его. С ростом температуры перехода ширина запрещённой зоны, а вместе с ней и напряжение пробоя, уменьшается: низковольтные стабилитроны с преобладанием туннельного пробоя имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения (ТКН).

В диодах с меньшими уровнями легирования, или меньшими градиентами легирующих примесей, и, как следствие, бо́льшими напряжениями пробоя наблюдается лавинный механизм пробоя. Он возникает при концентрациях примесей, примерно соответствующих напряжению пробоя в 4 EG (≈4,5 В), а при напряжениях пробоя выше 4 EG (≈7,2 В) полностью вытесняет туннельный механизм. Напряжение, при котором возникает лавинный пробой, с ростом температуры возрастает, а наибольшая величина ТКН пробоя наблюдается в низколегированных, относительно высоковольтных, переходах.

Механизм пробоя конкретного образца можно определить грубо — по напряжению стабилизации, и точно — по знаку его температурного коэффициента. В «серой зоне» (см. рисунок), в которой конкурируют оба механизма пробоя, ТКН может быть определён только опытным путём. Источники расходятся в точных оценках ширины этой зоны: С. М. Зи указывает «от 4 EG до 6 EG» (4,5…6,7 В), авторы словаря «Электроника» — «от 5 до 7 В»8, Линден Харрисон — «от 3 до 8 В»26, Ирвинг Готтлиб проводит верхнюю границу по уровню 10 В9. Низковольтные лавинные диоды (LVA) на напряжения от 4 до 10 В — исключение из правила: в них действует только лавинный механизм.

Оптимальная совокупность характеристик стабилитрона достигается в середине «серой зоны», при напряжении стабилизации около 6 В. Дело не столько в том, что благодаря взаимной компенсации ТКН туннельного и лавинного механизмов эти стабилитроны относительно термостабильны, а в том, что они имеют наименьший технологический разброс напряжения стабилизации и наименьшее, при прочих равных условиях, дифференциальное сопротивление. Наихудшая совокупность характеристик — высокий уровень шума, большой разброс напряжений стабилизации, высокое дифференциальное сопротивление — свойственна низковольтным стабилитронам на 3,3—4,7 В.

Основная область применения стабилитрона — стабилизация постоянного напряжения источников питания. В простейшей схеме линейного параметрического стабилизатора стабилитрон выступает одновременно и источником опорного напряжения, и силовым регулирующим элементом. В более сложных схемах стабилитрону отводится только функция источника опорного напряжения, а регулирующим элементом служит внешний силовой транзистор.

Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны и стабилитроны со скрытой структурой широко применяются в качестве дискретных и интегральных источников опорного напряжения (ИОН), в том числе в наиболее требовательных к стабильности напряжения схемах измерительных аналого-цифровых преобразователей. C середины 1970-х годов и по сей день (2012 год) стабилитроны со скрытой структурой являются наиболее точными и стабильными твердотельными ИОН. Точностные показатели лабораторных эталонов напряжения на специально отобранных интегральных стабилитронах приближаются к показателям нормального элемента Вестона.

Особые импульсные лавинные стабилитроны («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяются для защиты электроаппаратуры от перенапряжений, вызываемых разрядами молний и статического электричества, а также от выбросов напряжения на индуктивных нагрузках. Такие приборы номинальной мощностью 1 Вт выдерживают импульсы тока в десятки и сотни ампер намного лучше, чем «обычные» пятидесятиваттные силовые стабилитроны. Для защиты входов электроизмерительных приборов и затворов полевых транзисторов используются обычные маломощные стабилитроны. В современных «умных» МДП-транзисторах защитные стабилитроны выполняются на одном кристалле с силовым транзистором.

Маркировка стабилитронов Д815А

stabilitron-markirovka-300x177.jpg

Маркировка стабилитронов

Есть информация о стабилитроне Д815А – высылайте ее нам, мы ее разместим на этом сайте посвященному утилизации, аффинажу и переработке драгоценных и ценных металлов.

Фото Стабилитрон Д815А:

Предназначение Стабилитрон Д815А.

Характеристики Стабилитрон Д815А:

Купить или продать а также цены на Стабилитрон Д815А (стоимость, купить, продать):

Отзыв о стабилитроне Д815А вы можете в комментариях ниже:

Транзистор КТ815 – биполярный, кремневый эпитаксиально-планарный, имеющий структуру n-p-n. Данный транзистор применяется в схемах усилителей низкой частоты (УНЧ), в дифференциальных и операционных усилителях, в импульсных устройствах и различных преобразователей. Транзистор КТ815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы.

Параметры КТ815 транзистора

tranzistor-kt815-parametry-cokalevka-analog-datasheet-11.jpg

  •  Uкбо — max разрешенное напряжение коллектор-база
  • Uкбо(и) — max разрешенное напряжение (импульсное) коллектор-база
  • Uкэо — max разрешенное напряжение коллектор-эмиттер
  • Uкэо(и) — max разрешенное напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
  • Iкmax — max разрешенный ток коллектора
  • Iкmax(и) — max разрешенный ток (импульсный) коллектора
  • Pкmax — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
  • Pкmax т — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
  • h21э — статический коэффициент передачи тока транзистора КТ815 в схеме с ОЭ (общий эмиттер)
  • Iкбо — обратный ток коллектора
  • fгр — граничная частота h21э в схеме с общим эмиттером
  • Uкэн — напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Габаритные и установочные размеры транзистора КТ815

При монтаже допускается сгибать выводы не ближе 5 миллиметров от самого корпуса транзистора и желательно с радиусом закругления не менее 2 мм. Так же необходимо исключить передачу усилия при сгибании выводов на корпус транзистора.

49-image.jpgПаяльная станция 2 в 1 с ЖК-дисплеемМощность: 800 Вт, температура: 100…480 градусов, поток возду…Подробнее

Производить пайку контактов транзистора следует не ближе 5 мм от корпуса. Температура пайки не более 250 гр. при погружении выводов в припой на период не более 2 сек.

Цоколевка КТ815 транзистора

Ниже представлена цоколевка транзистора КТ815 в корпусе КТ-27 (ТО-126)

Маркировка транзистора КТ815

Согласно маркировке: цифра 5 указывает на тип транзистора (КТ815), буква А – группа, U2 – дата выпуска.

Аналоги транзистора КТ815

Транзистор Кт815 возможно заменить на отечественный аналог: КТ8272, КТ961, либо на его зарубежный аналог: BD135, BD137, BD139, TIP29A

Скачать datasheet КТ815(213,7 KiB, скачано: 5 302)

Транзистор КТ815 – очень популярный отечественный биполярный кремниевый прибор. Имеет структуру типа n — p — n , создан на основе эпитаксиально-планарной технологии. Имеет большое количество разновидностей, а также отечественных и зарубежных аналогов. Комплементарной парой этому элементу является транзистор КТ814, в паре с которым, на данных транзисторах делали схемы эмиттерного повторителя.

Наиболее популярное применение этого элемента – усилители низкой частоты. Кроме того, данный прибор часто применяется в операционных и дифференциальных усилителях и разного вида преобразователей.

Транзистор получил широкое распространение в 80-х годах 20-го века в качестве элемента большого количества бытовой техники. Название прибора может рассказать о нём минимальную необходимую информацию. Буква К означает “кремниевый”, Т – “транзистор”. Цифра 8 указывает на принадлежность к мощным приборам, предназначенным для работы на средних частотах. Цифра 15 указывает на номер разработки.

Характеристики КТ815

Ниже представлена таблица с техническими характеристиками КТ815

  • К – кремниевый;
  • Т – транзистор;
  • 8 – мощный, среднечастотный;
  • 15 – номер разработки;
  • А, Б, В, Г – буква определяющая максимальное обратное напряжение.

КТ815 является транзистором с n-p-n структурой. Существует комплементарный транзистор с p-n-p структурой – КТ814, на КТ815 и КТ814 часто строились схемы комплементарного эмиттерного повторителя.

КТ815 цоколевка

КТ815 изготавливался в корпусах для объемного монтажа КТ-27 (по зарубежной классификации ТО-126):

Сейчас также изготавливают КТ815А9, КТ815Б9, КТ815В9, КТ815Г9 в корпусах для поверхностного монтажа КТ-89 (по зарубежной классификации DPAK):

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

Параметры Обозначение Значение
Напряжение эмиттер — база Uэб max 5 В
Постоянный ток коллектора Iк max 1,5 А
Импульсный ток коллектора Iк max 3 А
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max 0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектора Pк max 10 Вт
Температура перехода Tпер 150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр.среды = 25°С

Паpаметpы Обозначение Режимы измеpения Min Maх Ед.измеp
Обратный ток коллектора Iкбо Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г) 50 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер Iкэо Rэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г) 100 мкА
Статический коэффициент передачи тока h21э Uкб=2 В, Iэ=0,15 А 40,30(Г) 275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас Iк=0,5 А, Iб=50 мА 0,6 В

Читайте также:  Черный экран в фотошопе

Напряжение коллектор — эмиттер Uкэ max (Rэб ≤ 100 Ом)

  • КТ815А, КТ815А9 — 40 В
  • КТ815Б, КТ815Б9 — 50 В
  • КТ815В, КТ815В9 — 70 В
  • КТ815Г, КТ815Г9 — 100 В

Граничное напряжение коллектор — эмиттер Uкэо гр. (Iэ = 50 мА, tи = 0,3-1 мс)

  • КТ815А, КТ815А9 — 30 В
  • КТ815Б, КТ815Б9 — 45 В
  • КТ815В, КТ815В9 — 65 В
  • КТ815Г, КТ815Г9 — 85 В

Маркировка транзисторов КТ815

Первоначально на транзисторы наносилась полная маркировка типа (например КТ815Г), месяц и год выпуска. В дальнейшем оставили только цифру и буквы, например для КТ815Г — 5Г.

Зарубежные прототипы

  • КТ815Б — BD135
  • КТ815В — BD137
  • КТ815Г — BD139

15 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше. Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая. Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Зарубежные транзисторы тоже разные бывают. Заказывал у китайцев на Алиэкспресс BD139 и BD140, фактически аналоги КТ814 и КТ815. Замучился в пары подбирать по h21э. Чтобы можно было говорить о высокой повторяемости параметров, нужно покупать у западных поставщиков. Но я посмотрел розничные цены на BD139 и BD140 на Mouser Eletronics и мне с них поплохело. За рубежом точно так же для бытовухи транзисторы делаются в Китае, для военных и промышленных нужд в Европе и США. Первые как бог на душу положит, вторые строго по технологии и с тщательным выходным контролем. И в бытовую электронику вторые не попадут никогда, потому как нерентабельно.

Читайте также:  Ут 11 продажа в минус

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Читайте также:  Эмулятор виндовс мобайл для пк

С этим температурным сопротивлением переход — корпус и корпус очень тонкий момент, вроде транзистор и может рассеивать большую мощность, но пока его не охлаждаешь жидким азотом, то и не может.

Кстати часто такие ошибки в курсовых проектах и даже дипломах встречаются, преподаватели обычно не вникают во всё, а вот на защите может и попасться на глаза.

У многих транзисторов есть как при постоянной и так при импульсной работе предельные параметры. Как мощность или ток коллекторы. Объясните при какой частоте или скважности, можно понять что наступил импульсный режим, Если переходный какой то интервал этих параметров. т.е. предельные параметры выше чем при постоянной работе но ниже чем в импульсном режиме.

Транзистор КТ 815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы. Параметры КТ 815 транзистора.

Для удобства в таблице отсутствуют некоторые параметры. Развёрнутый список параметров каждого транзистора показан на странице с его описанием. Не стоит, также, забывать, что транзисторы 2Т8ххх являются аналогами транзисторов КТ8ххх, а отличаются тем, что имеют более жёсткую приёмку, однако параметры для обоих типов транзисторов аналогичны.

Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Илья Коршунов
Наш эксперт
Написано статей
134
Добавить комментарий