MJE13009 – Кремниевые NPN Силовые Транзисторы.
Отечественный аналог MJE13009
- КТ8260А, КТ8209А
Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.
Корпусное исполнение, цоколевка MJE13009
- пластмассовый корпус TO-220С
№1 – База
№2 – Коллектор
№3 – Эмиттер
Характеристики транзистора MJE13009
Предельные параметры MJE13009
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (VCBO):
- 700 V
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (VCEO):
- 400 V
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (VEBO):
- 9 V
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IC):
- 12 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (ICM):
- 24 А
Ток эмиттера (IE):
- 18 А
Импульсный ток эмиттера (IEM):
- 36 А
Ток базы (IB):
- 6 А
Импульсный ток базы (IBM):
- 12 А
Общая рассеиваемая мощность (PD):
- 100 W
Максимально допустимая температура перехода (Tj):
- 150° C
Температура хранения (Tstg):
- -65~150° C
Электрические характеристики транзисторов MJE13009 (Тj=25oС если не указано иное)
Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (VCEO(sus))
- 400 V при IC = 10 mA, IB = 0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE(sat))
- 1 V при IC = 5 A, IB = 1 A
- 1.5 V при IC = 8 A, IB = 1.6 A
- 3 V при IC = 12 A, IB = 3 A
Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE(sat))
- 1.2 V при IC = 5 A, IB = 1 A
- 1.6 V при IC = 8 A, IB = 1.6 A
Обратный ток эмиттера (IEBO) (IC = 0)
- 1 mA при VEB = 9 V
Коэффициент усиления транзистора по току(hFE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (VCE) 5 V:
- 8 – 40 при IC = 5 A
- 6 – 30 при IC = 8 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT)
- 4 MHz при IC = 0.5 A, VCE = 10 V, f = 1MHz
Опубликовано 11.02.2020
| Микросхемы | Транзисторы | Диоды | Тиристоры |
- <label>3 ₽</label> Нашли дешевле?
- 10 или более: 2.5 ₽
- 1000 или более: 1.2 ₽
- В наличии: 3055
Характеристики:
транзистор
x
ИП или ООО: в чём разница и как зарегистрировать