Как проверить кт315 и кт361 транзистор

Транзистор КТ361 Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером. 2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Обозначение транзисторов до 1964 года Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты. От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы. От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы. От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы. От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы. От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы. От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы. От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы. От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала Буква Г или цифра 1 – германий. Буква К или цифра 2 – кремний. Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора П – полевой транзистор Т – биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты 1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц). 2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц). 3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные. 4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц). 5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц). 6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ. 7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц). 8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц). 9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.

ct315.jpg

Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.

Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа.Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока250 МГц. Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90. У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350. У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250. У транзистора КТ315Ж, не менее 30.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в. Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в. у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в. У транзистора КТ315И — 60 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в. У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в. У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база6 в.

Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА. У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА. У транзисторов КТ315И — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.

Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более: У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ. У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт. У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.

ct361.jpg

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.

Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.

Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B

Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102Д.

Транзисторы КТ3102 — кремниевые, усилительные маломощные высокочастотные, структуры n-p-n. Пониженный коэффициент шума на частоте 1000 гц позволяет использовать эти транзисторы в каскадах предварительных усилителей звуковой частоты. Кроме того, они применяются в усилительных и генераторных схемах высокой частоты. Корпус металлостеклянный(у более древних экземпляров) или пластиковый — ТО-92, с гибкими выводами. Масса — около 0,5 г. Маркировка буквенно — цифровая, либо цветовая — на боковой и верхней поверхностях корпуса.

При цветовой маркировке, темно-зеленое пятно на боковой поверхности определяет тип(КТ3102). Цветовое пятно сверху обозначает группу: Бордовое — группа А(КТ3102А). Желтое — группа Б(КТ3102Б). Темно-зеленое — группа В(КТ3102В). Голубое — группа Г(КТ3102Г). Синие — группа Д(КТ3102Д). Цвета “электрик” — группа Е(КТ3102Е).

Цоколевка КТ3102 — на рисунке ниже.

ct3102.jpg

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ3102А — от 100, до 250. У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д — от 200, до 500. У транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е — от 400, до 1000.

Читайте также:  Банкетки в стиле барокко

Коэффициент шума при напряжении коллектор-эмиттер 5в, коллекторном токе 0,2мА, на частоте 1КГц: У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102А, КТ3102Г — не более 10дБ. У транзисторов КТ3102Д, КТ3102Е — не более 10дБ. 1000.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102Е — 50в. У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д — 30в. У транзистора КТ3102Г — 20в.

Максимальный ток коллектора100мА.

Максимальное напряжение эмиттер-база5в.

Обратный ток коллектор-эмиттер : У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более0,1мкА. У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более0,05мкА.

Обратный ток коллектора не более: У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более 0,05мкА, при температуре +25 Цельсия. При температуре +85 — не более 5мкА. У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и у КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более 0,015мкА, при температуре +25 Цельсия. При температуре +85, обратный ток может вырасти до 5мкА.

Рассеиваемая мощность коллектора.250мВт.

Граничная частота коэффициента передачи тока150 МГц.

Транзистор комплиментарный КТ3102 — КТ3107.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

ct817.jpg

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20. У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в. У транзисторовКТ817Б — 45в. У транзистора КТ817В — 60в. У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора.3А. Рассеиваемая мощность коллектора1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

ct816.jpg

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -“Гулливер”.

Читайте также:  Как сделать решетку из дерева

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.

Транзистор – это очень важный элемент большинства радиосхем. Тем, кто решил заняться радиомоделированием, необходимо в первую очередь знать, как их проверять и какие устройства при этом использовать.

В биполярном транзисторе имеется в наличии 2 PN перехода. Выводы из него называют эмиттером, коллектором и базой. Эмиттер и коллектор – это элементы, размещенные по краям, а база находится между ними, посередине. Если рассматривать классическую схему движения тока, то сначала он входит в эмиттер, а затем накапливается в коллекторе. База необходима для того, чтобы регулировать ток в коллекторе.

Пошаговая инструкция проверки мультимером

Перед началом проверки, прежде всего определяется структура триодного устройства, которая обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Когда направление стрелки указывает на базу, то это вариант PNP, направление в сторону, противоположную базе, обозначает NPN проводимость.

Проверка мультимером PNP транзистора состоит из таких последовательных операций:

  1. Проверяем обратное сопротивление, для этого присоединяем «плюсовой» щуп прибора к его базе.
  2. Тестируется эмиттерный переход, для этого «минусовой» щуп подключаем к эмиттеру.
  3. Для проверки коллектора перемещаем на него «минусовой» щуп.

Результаты этих измерений должны показать сопротивление в пределах значения «1».

Для проверки прямого сопротивления меняем щупы местами:

  1. «Минусовой» щуп прибора присоединяем к базе.
  2. «Плюсовой» щуп поочередно перемещаем от эмиттера к коллектору.
  3. На экране мультиметра показатели сопротивления должны составить от 500 до 1200 Ом.

Данные показания свидетельствуют о том, что переходы не нарушены, транзистор технически исправен.

Многие любители имеют сложности с определением базы, и соответственно коллектора или эмиттера. Некоторые советуют начинать определение базы независимо от типа структуры таким способом: попеременно подключая черный щуп мультиметра к первому электроду, а красный – поочередно ко второму и третьему.

База обнаружится тогда, когда на приборе начнет падать напряжение. Это означает, что найдена одна из пар транзистора – «база – эмиттер» или «база – коллектор». Далее необходимо определить расположение второй пары таким же образом. Общий электрод у этих пар и будет база.

Читайте также:  Как прорастить мелкие семена

Инструкция проверки тестером

Тестеры различаются по видам моделей:

  1. Существуют приборы, в которых конструкцией предусмотрены устройства, позволяющие измерить коэффициент усиления микротранзисторов малой мощности.
  2. Обычные тестеры позволяют осуществить проверку в режиме омметра.
  3. Цифровой тестер измеряет транзистор в режиме проверки диодов.

В любом из случаев существует стандартная инструкция:

  1. Прежде, чем начать проверку, необходимо снять заряд с затвора. Это делается так – буквально на несколько секунд заряд необходимо замкнуть с истоком.
  2. В случае, когда проверяется маломощный полевой транзистор, то перед тем, как взять его в руки, обязательно нужно снять статический заряд со своих рук. Это можно сделать, взявшись рукой за что-нибудь металлическое, имеющее заземление.
  3. При проверке стандартным тестером, необходимо в первую очередь определить сопротивление между стоком и истоком. В обоих направлениях оно не должно иметь особого различия. Величина сопротивления при исправном транзисторе будет небольшой.
  4. Следующий шаг – измерение сопротивления перехода, сначала прямое, затем обратное. Для этого необходимо подключить щупы тестера к затвору и стоку, а затем к затвору и истоку. Если сопротивление в обоих направлениях имеет разную величину, триодное устройство исправно.

Как проверить транзистор, не выпаивая из схемы

Выпаивание из схемы определенного элемента сопряжено с некоторыми трудностями – по внешнему виду сложно определить, какое именно из них необходимо выпаивать.

Многие профессионалы для проверки транзистора непосредственно в гнезде предлагают использовать пробник. Этот прибор представляет собой блокинг-генератор, в котором роль активного элемента играет сама деталь, требующая проверки.

Система работы пробника со сложной схемой построена на включении 2 индикаторов, которые сообщают – пробита цепь, или нет. Варианты их изготовления широко представлены в интернете.

Последовательность действий при проверке транзисторов одним из таких приборов, следующая:

  1. Сначала тестируется исправный транзистор, с помощью которого проверяют, есть генерация тока, или нет. Если генерация есть, то продолжаем тестирование. При отсутствии генерации меняются местами выводы обмоток.
  2. Далее проверяется лампа Л1 на размыкание щупов. Лампочка должна гореть. В случае, если этого не происходит, меняются местами выводы любой из обмоток трансформатора.
  3. После этих процедур начинается непосредственная проверка прибором транзистора, который предположительно вышел из строя. К его выводам подключаются щупы.
  4. Переключатель устанавливается в положение PNP или NPN, включается питание.

Свечение лампы Л1 свидетельствует о пригодности проверяемого элемента схемы. Если же начинает гореть лампа Л2, значит есть какие-то неполадки (скорее всего пробит переход между коллектором и эмиттером);

Существуют также пробники с очень простыми схемами, которые перед началом работы не требуют никакой наладки. Они характеризуются очень малым током, который проходит через элемент, подлежащий тестированию. При этом, опасность его вывода из строя практически нулевая.

К такой категории относятся приборы, состоящие из батарейки и лампочки (или светодиода).

Для проверки нужно последовательно выполнить такие операции:

  1. Подключить к наиболее вероятному выходу базы один из щупов.
  2. Вторым щупом поочередно касаемся каждого из оставшихся двух выводов. Если в одном из подключений контакта нет, тогда произошла ошибка с выбором базы. Нужно начинать сначала с другой очередностью.
  3. Далее советуют проделать те же операции с другим щупом (поменять плюсовый на минусовый) на выбранной базе.
  4. Поочередное соединение базы щупами разных полярностей с коллектором и эмиттером в одном случае должно зафиксировать контакт, а в другом нет. Считается, что такой транзистор исправный.

Основные причины неисправности

Наиболее часто встречающиеся причины выхода из рабочего состояния триодного элемента в электронной схеме следующие:

  1. Обрыв перехода между составными частями.
  2. Пробой одного из переходов.
  3. Пробой участка коллектора или эмиттера.
  4. Утечка мощности под напряжением цепи.
  5. Видимое повреждение выводов.

Характерными внешними признаками такой поломки являются почернение детали, вспучивание, появление черного пятна. Поскольку эти изменения оболочки происходят только с мощными транзисторами, то вопрос диагностики маломощных остается актуальным.

Автор: Arhan, 24 августа 2009 в Начинающим

Рекомендованные сообщения

Присоединяйтесь к обсуждению

Вы можете опубликовать сообщение сейчас, а зарегистрироваться позже. Если у вас есть аккаунт, войдите в него для написания от своего имени. Примечание: вашему сообщению потребуется утверждение модератора, прежде чем оно станет доступным.

Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Илья Коршунов
Наш эксперт
Написано статей
134
Добавить комментарий