13003 Транзистор характеристики и его российские аналоги

Жизненный цикл импортных микросхем значительно меньше отечественных аналогов. «Темной» стороной обновления продуктовой линейки западных производителей, является сложность постоянного поиска аналогов микросхем. В том числе, подбор аналогов микросхем на английском языке и определения их срока годности. В статье пойдет речь о том, как за 3 минуты найти аналог интегральных микросхем Maxim Integrated.

Как найти аналог интегральных микросхем Maxim?

Для управления жизненным циклом изделий в западной практике методология Product Lifecycle Management (PLM). В соответствии с ней, после активного производства, продаж и поддержки наступает этап окончание срока службы (EOL) – время, после которого, производитель останавливает производство изделий, если спрос на нее падает и заканчивает приносить должный уровень прибыли. (Что означают сокращения PCN, EOL, NRND можно узнать в нашей статье).Производитель микросхем Maxim на этом этапе запускает в производство новых, модернизированных изделий, которые соответствуют современным запросам рынка. Чтобы потребители Maxim Integrated без проблем могли подобрать замену они создали таблицу аналогов микросхем, которые рекомендуют взамен снятых с производства.

Этапы поиска аналогов микросхем

1. Переходим на сайт Maxim Integrated: https://www.maximintegrated.com/ 2. На панели слева находим пункт меню О нас (About Us):

4. Внизу открывшейся страницы находим пункт Политика прекращения выпуска продукции (Product Discontinuance Policy):

6. На этой странице представлены изделия, которые не рекомендуются для новых разработок 1, которые уже сняты с производства 2. Нас интересуете 3 раздел – Все данные (загрузка электронной таблицы) (All Data (spreadsheet download)):

Max-5.jpg

7. В таблице указаны изделия, которые уже не выпускаются и рекомендуемая производителем их замена там, где это возможно:

Max-6.jpg

В столбце 1 указан статус изделия. NLA (No Longer Available) означает, что Продукт был снят с производства и не доступен для покупки В столбце 2 представлен партийный номер, снятый с производства В столбце 3 указана рекомендуемая замена. Параметры аналогов микросхем и datasheet на снятые с производства микросхемы можно воспользовавшись нашими рекомендациями в статье 3 способа скачать datasheet микросхем импортного производства.

Заключение

Таким образом, в статье был рассмотрен поэтапный метод поиска и подбора аналогов зарубежных микросхем на примере продукции Maxim Integrated. Данный метод привлекателен тем, что весь процесс не займет более 3-х минут вашего времени. При условии, конечно, что завод указал рекомендуемую замену.Другие наши статьи вы можете найти в разделе сайта Статьи

Подпишитесь и получайте уведомления о наших новых статьях:

</span>

Podpiska-na-stati-_-Elektronika_RA.png

Наши проекты

6aae762207.png

68e7e2b3ff.png

</span>

Заявка на поставку импортных микросхем

Мы специализируется на поставках импортных микросхем для производства приборов связи и навигационного оборудования для авиа- и судостроенияПолучить подробную информацию о поставляемых брендах и условиях сотрудничества можно тут: https://import.el-ra.ru

Кроме этого, мы выполняем полный комплекс услуг по организации проверки и испытаниям электронных компонентов импортного производства, включая входной и параметрический контроль, специальные проверки, механические и климатические испытания.

Если вы заинтересованы в работы с нами, то заполните форму по ссылке:www.el-ra.ru/zayavka

Мощные транзисторы строчной развертки

Несмотря на многообразие мощных силовых транзисторов для строчной развертки, большинство из них схожи по своим характеристикам и подбор аналога, пусть даже и не полного, не составит большого труда.

Никто не спорит, что замена неисправного транзистора на аналогичный, это лучший вариант, но при необходимости заменить сгоревший мощный транзистор строчной развертки и если именно такого в наличии нет, а ремонт телевизора откладывать не хочется, я поступаю так (при наличии интернета это не составит труда):

  1. Анализирую схему (обвязка строчного транзистора);
  2. Просматриваю даташит неисправного транзистора;
  3. Просматриваю даташиты имеющихся транзисторов.

Из нескольких вариантов выбираю наиболее близкий по параметрам.

На что нужно обращать внимание?

В мощных транзисторах используемых в строчной развертке, кроме наиболее важных параметров: напряжения и тока (в своей статье «Транзисторы для импульсных  блоков питания телевизоров» я описывал подбор транзисторов для замены в блоках питания, здесь аналогично), необходимо также учитывать наличие диода (коллектор — эмиттер) и сопротивления база – эмиттер.

Если диод имеется практически во всех импортных транзисторах, то при подборе транзистора необходимо обратить внимание на его сопротивление.

Давайте рассмотрим схему включения строчного транзистора 2SD2499 (D2499) в телевизоре Erisson 21F2.

Согласно даташиту транзистора D2499 его внутреннее сопротивление база – эмиттер  равно 40 Ом,

совместное сопротивление с резистором R404  будет менее 20 Ом и это сопротивление будет сохраняться практически всегда при установке любого другого мощного транзистора в строчной развертку этого телевизора.

Если такой внешний резистор в цепи базы отсутствует, то транзистор следует подбирать с как можно близким сопротивлением база – эмиттер к неисправному транзистору.

Не забывайте про параметры напряжение и максимальный ток коллектора.

Однако, даже если у вас нет подходящего транзистора, можно поставить практически  любой, при этом добавить недостающие элементы навесным монтажом. Например, чтобы заменить транзистор в строчной развертке D2499 транзистором BU508A (без встроенного  резистора и диода) необходимо между базой и эмиттером на плате установить резистор в 40 Ом, см. рисунок

а между коллектором и эмиттером добавить два последовательно спаянных диода типа КД226Д или 1N4007 (1- ампер 1000 вольт). Для установки транзистора BU508D достаточно добавить один резистор.

Не забывайте проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения телевизора.  Если транзистор чрезмерно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в неисправных элементах его обвязки (ТДКС, конденсаторы).

Избранные статьи В» Практическая электроника

В этой статье разберем тему подбора аналогов биполярных и полевых транзисторов. На какие параметры транзистора следует обратить внимание, чтобы по ним подобрать подходящую замену?

Для чего это нужно? Бывает так, что ремонтируя какой-нибудь прибор, скажем, импульсный блок питания, пользователь оказывается вынужден обратиться в ближайший магазин электронных компонентов, но в ассортименте не находится именно такого транзистора, который вышел из строя в схеме прибора. Тогда и приходится выбирать из того, что есть в наличии, то есть подбирать аналог.

А бывает еще и так, что сгоревший транзистор на плате был из тех, которые уже сняты с производства, и тогда как нельзя кстати приходится доступный в сети даташит, где параметры можно посмотреть, и по ним подобрать подходящий аналог из ныне доступных. Так или иначе, нужно знать, по каким параметрам выбирать, об этом и пойдет речь далее.

Биполярные транзисторы

Для начала поговорим о биполярных транзисторах. Главными характеристиками здесь выступают:

  • максимальное напряжение коллектор-эмиттер,

  • максимальный ток коллектора,

  • максимальная рассеиваемая корпусом транзистора мощность,

  • граничная частота,

  • коэффициент передачи по току.

Первым делом оценивают схему в целом. На какой частоте работает прибор? Насколько быстрым должен быть транзистор? Лучше всего, если рабочая частота прибора будет в 10 и много более раз ниже граничной частоты транзистора. Например fгр равна 30 МГц, а рабочая частота прибора, где транзистор будет работать, составляет 50 кГц.

Если же заставить транзистор работать на частоте близкой к граничной, то коэффициент передачи по току станет стремиться к единице, и для управления потребуется много энергии. Поэтому пусть граничная частота подбираемого аналога будет больше или равна граничной частоте транзистора, который нужно заменить.

Следующим шагам обращают внимание на мощность, которую сможет транзистор рассеять. Здесь же смотрят на максимальный ток коллектора и на предельное значение напряжения коллектор-эмиттер. Максимальный ток коллектора должен быть выше максимального тока в управляемой транзистором цепи. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер у выбираемого транзистора должно быть выше предельного напряжения в управляемой цепи.

Если параметры подбираются исходя из даташита на заменяемый компонент, то подбираемый аналог по предельному напряжению и предельному току должен соответствовать или превосходить заменяемый транзистор. Например, если сгорел транзистор, предельное напряжение коллектор-эмиттер которого было 80 вольт, а максимальный ток составлял 10 ампер, то в этом случае аналог с максимальными параметрами по току и напряжению 15 ампер и 230 вольт — подойдет в качестве замены.

Далее оценивают коэффициент передачи по току h21. Данный параметр указывает на то, во сколько раз ток коллектора превосходит ток базы в процессе управления транзистором. Приоритет лучше отдавать транзисторам со значением этого параметра большим или равным h21 исходного компонента, хотя бы приблизительно.

Нельзя ставить вместо транзистора с h21 = 30, транзистор с h21 = 3, управляющая цепь просто не справится или сгорит, а прибор не сможет нормально работать, лучше, если аналог будет иметь h21 на уровне 30 или больше, например 50. Чем выше коэффициент усиления по току, тем проще транзистором управлять, тем выше КПД управления, ток базы меньше, ток коллектора — больше.

Транзистор без лишних затрат входит в насыщение. Если же прибор, куда подбирается транзистор, отличается повышенным требованием к коэффициенту передачи по току, то пользователю следует подобрать аналог с более близким к оригиналу h21, либо придется внести изменения в цепь управления базой.

Наконец, смотрят на напряжение насыщения, напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора. Чем оно меньше, тем меньше мощности будет рассеиваться на корпусе компонента в виде тепла. И важно отметить, сколько реально в схеме придется транзистору рассеивать тепла, максимальное значение рассеиваемой корпусом мощности приводится в документации (в даташите).

Умножьте ток коллекторной цепи на напряжение, которое будет падать на переходе коллектор-эмиттер в процессе работы схемы, и сравните с максимально допустимой для корпуса транзистора тепловой мощностью. Если реально выделяемая мощность окажется больше предела, транзистор быстро сгорит.

Так, биполярный транзистор 2N3055 можно смело заменить на КТ819ГМ и наоборот. Сравнив их документацию, можно прийти к выводу, что это почти полные аналоги, как по структуре (оба NPN), так и по типу корпуса и по основным параметрам, важным для равно эффективной работы в аналогичных режимах.

Полевые транзисторы

Теперь поговорим о полевых транзисторах. Полевые транзисторы широко применяются сегодня, в некоторых устройствах, например в инверторах они почти полностью вытеснили собой биполярные транзисторы. Полевые транзисторы управляются напряжением, электрическим полем заряда затвора, и поэтому управление получается менее затратным, нежели в биполярных транзисторах, где управление осуществляется током базы.

Полевые транзисторы намного быстрее переключаются в сравнении с биполярными, обладают повышенной термоустойчивочтью, и не имеют неосновных носителей заряда. Чтобы обеспечить коммутацию значительных токов, полевые транзисторы можно соединять параллельно в большом количестве без выравнивающих резисторов, достаточно подобрать подходящий драйвер.

Итак, что касается подбора аналогов полевых транзисторов, то здесь алгоритм тот же, что и при подборе биполярных аналогов, с той лишь разницей, что отпадает проблема с коэффициентом передачи по току и дополнительно появляется такой параметр как емкость затвора. Максимальное напряжение сток-исток, максимальный ток стока. Лучше выбрать с запасом, чтобы наверняка не сгорел.

У полевых транзисторов нет такого параметра как напряжение насыщения, зато есть параметр В«сопротивление канала в открытом состоянииВ». Исходя из этого параметра можно определить, какая мощность будет рассеиваться на корпусе компонента. Сопротивление открытого канала может составлять от долей ома до единиц ом.

У высоковольтных полевых транзисторов сопротивление открытого канала, как правило, больше одного ома, и это нужно обязательно брать в расчет. Если удастся выбрать аналог с меньшим сопротивлением открытого канала, то и тепловых потерь будет меньше, и падение напряжения на переходе не будет в открытом состоянии критически высоким.

Крутизна характеристики S у полевых транзисторов – аналог коэффициента передачи по току биполярных транзисторов. Этот параметр показывает зависимость тока стока от напряжения затвора. Чем выше крутизна характеристики S, тем меньшее напряжение нужно подать на затвор для коммутации значительного тока стока.

Не нужно забывать при выборе аналога и про пороговое напряжение затвора, ведь если напряжение на затворе будет ниже порогового, то транзистор полностью не откроется, и коммутируемая цепь не получит достаточного питания, всю мощность придется рассеивать транзистору, и он просто перегреется. Напряжение управления затвором должно быть выше порогового. Аналог должен иметь пороговое напряжение затвора не выше чем оригинал.

Мощность рассеяния полевого транзистора аналогична мощности рассеяния биполярного транзистора, этот параметр указан в даташите, и зависит, как и в случае с биполярными транзисторами, от типа корпуса. Чем больше корпус компонента, тем большую тепловую мощность сможет он безопасно для себя рассеять.

Емкость затвора. Поскольку полевые транзисторы управляются напряжением затвора, а не током базы, как биполярные транзисторы, то здесь вводится такой параметр как емкость затвора и полный заряд затвора. При выборе аналога на замену оригиналу, обратите внимание на то, чтобы затвор у аналога не был тяжелее.

Емкость затвора лучше всего, если окажется чуть меньше, таким полевым транзистором проще управлять, фронты получатся круче. Однако если затворные резисторы в схеме управления вы перепаивать не намерены, то пусть емкость затвора будет максимально близкой к оригиналу.

Так, очень распространенные несколько лет назад, IRFP460 заменяют на 20N50, у которого затвор немного легче. Если обратиться к даташитам, то легко заметить почти полное сходство параметров этих полевых транзисторов.

Надеемся, что эта статья помогла вам разобраться в том, на какие характеристики нужно ориентироваться, чтобы подобрать подходящий аналог транзистора.

Андрей ПовныйВ 

Другие статьи по теме :

    Биполярные и полевые транзисторы – в чем различие</li>Драйвер полевого транзистора из дискретных компонентов</li>Виды транзисторов и их применение</li>IGBT-транзисторы – основные компоненты современной силовой электроники</li>Почему горят транзисторы</li></ul>

    <cent>Электрик Инфо

    Навигация

    Вверх Главная страница Powered by Electrik.info В© 2008 – 2021Перейти на полную версию сайта</cent></p></table>

    Оцените статью
    Рейтинг автора
    5
    Материал подготовил
    Илья Коршунов
    Наш эксперт
    Написано статей
    134
    Добавить комментарий